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文献
J-GLOBAL ID：201802291659400061
整理番号：18A1619945
UV垂直発光デバイス用の透明で導電性の(-201)配向β-Ga_2O_3基板上に成長させたGaN/AlGaN多重量子井戸【JST・京大機械翻訳】
GaN/AlGaN multiple quantum wells grown on transparent and conductive (-201)-oriented β-Ga2O3 substrate for UV vertical light emitting devices
Ajia I. A.
(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Yamashita Y.
(Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Lorenz K.
(INESC-MN, IPFN, Instituto Superior Tecnico, Campus Tecnologico e Nuclear, Bobadela LRS, Portugal)
,
Muhammed M. M.
(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Spasevski L.
(Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, Glasgow G4 0NG, United Kingdom)
,
Almalawi D.
(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Xu J.
(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Iizuka K.
(Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Morishima Y.
(Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Anjum D. H.
(Imaging and Characterization Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Wei N.
(Imaging and Characterization Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
,
Martin R. W.
(Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, Glasgow G4 0NG, United Kingdom)
,
Kuramata A.
(Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Roqan I. S.
(Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 8 ページ： 082102-082102-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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