文献
J-GLOBAL ID:201802291663610308
整理番号:18A1597003
低エネルギー誘起バルクGaAsアバランシェ半導体スイッチの故障機構:シミュレーション解析と実験結果【JST・京大機械翻訳】
Failure Mechanism of a Low-Energy-Triggered Bulk Gallium Arsenide Avalanche Semiconductor Switch: Simulated Analysis and Experimental Results
著者 (5件):
Hu Long
(Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
,
Su Jiancang
(Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
,
Qiu Ruicheng
(School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
,
Fang Xu
(Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
,
Wang Jingxuan
(Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
9
ページ:
3855-3861
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)