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文献
J-GLOBAL ID：201802291748302874
整理番号：18A0401388
MOVPEにより成長させたとスペクトル反射率をモニターして行なうin situ In_xGa_1xAs/GaAs構造の特性に及ぼすIn組成の影響【Powered by NICT】
The influence of In composition on properties of InxGa1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE and in situ monitored by spectral reflectance
Bedoui M.
(University of Monastir, Faculty of Sciences, Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, 5019 Monastir, Tunisia)
,
Habchi M.M.
(University of Monastir, Faculty of Sciences, Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, 5019 Monastir, Tunisia)
,
Moussa I.
(University of Monastir, Faculty of Sciences, Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, 5019 Monastir, Tunisia)
,
Rebey A.
(University of Monastir, Faculty of Sciences, Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, 5019 Monastir, Tunisia)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 101 ページ： 436-445 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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