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文献
J-GLOBAL ID：201802292091344983
整理番号：18A1489899
シリコンコーナードットにおける谷分裂の電場調整【JST・京大機械翻訳】
Electric-field tuning of the valley splitting in silicon corner dots
Ibberson D. J.
(Quantum Engineering Technology Labs, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1FD, United Kingdom)
,
Bourdet L.
(University Grenoble Alpes, CEA, INAC-MEM, 38000 Grenoble, France)
,
Abadillo-Uriel J. C.
(Materials Science Factory, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain)
,
Ahmed I.
(Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J. J. Thomson Ave., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
,
Barraud S.
(CEA/LETI-MINATEC, CEA-Grenoble, 38000 Grenoble, France)
,
Calderon M. J.
(Materials Science Factory, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain)
,
Niquet Y.-M.
(University Grenoble Alpes, CEA, INAC-MEM, 38000 Grenoble, France)
,
Gonzalez-Zalba M. F.
(Hitachi Cambridge Laboratory, J. J. Thomson Ave., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 113 号： 5 ページ： 053104-053104-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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