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文献
J-GLOBAL ID：201802292097714698
整理番号：18A0973535
LPCVD Si_3N_4適合自己終端,低損傷アノードレス技術を用いた高V_ON均一性の低オン抵抗GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Low ON-Resistance GaN Schottky Barrier Diode With High $V_{¥mathrm{ON}}$ Uniformity Using LPCVD Si3N4 Compatible Self-Terminated, Low Damage Anode Recess Technology
Gao Jingnan
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
,
Jin Yufeng
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China)
,
Xie Bing
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wen Cheng P.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Hao Yilong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Shen Bo
(School of Physics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Maojun
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 6 ページ： 859-862 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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