文献
J-GLOBAL ID:201802292137992427
整理番号:18A1144254
長チャネル対称二重ゲート接合FETの電荷に基づくモデリング-第2部:総電荷とトランスキャパシタ【JST・京大機械翻訳】
Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs-Part II: Total Charges and Transcapacitances
著者 (4件):
Makris Nikolaos
(School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece)
,
Jazaeri Farzan
(School of Engineering, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Sallese Jean-Michel
(School of Engineering, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Bucher Matthias
(School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
7
ページ:
2751-2756
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)