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文献
J-GLOBAL ID：201802292614215845
整理番号：18A1330585
ArまたはHeを混合したリモート酸素プラズマによる化学気相成長法を用いて形成されたSiO2/GaN構造の界面特性
Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He
NGUYEN Xuan Truyen
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NGUYEN Xuan Truyen
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
TAOKA Noriyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
OHTA Akio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAKIHARA Katsunori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
TAKAHASHI Tokio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
IKEDA Mitsuhisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(Nagoya Univ. Inst. of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Nagoya Univ. Inst. of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 6S3 ページ： 06KA01.1-06KA01.7 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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