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文献
J-GLOBAL ID：201802293143278231
整理番号：18A1700738
Al2O3/SiO2界面導入による高ドレイン電流ノーマリオフ2DHGダイヤモンドMOSFET
矢部太一
(早稲田大 理工学術院)
,
大井信敬
(早稲田大 理工学術院)
,
堀川清貴
(早稲田大 理工学術院)
,
大久保智
(早稲田大 理工学術院)
,
BUENDIA Jorge. J.
(早稲田大 理工学術院)
,
蔭浦泰資
(早稲田大 理工学術院)
,
河野省三
(早稲田大 理工学術院)
,
平岩篤
(早稲田大 理工学術院)
,
川原田洋
(早稲田大 理工学術院)
,
川原田洋
(早大 材研)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th ページ： ROMBUNNO.21p-232-9 発行年： 2018年09月05日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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