文献
J-GLOBAL ID:201802293864253885
整理番号:18A0532446
SiC MOSFETしきい値安定性の問題【Powered by NICT】
SiC MOSFET threshold-stability issues
著者 (3件):
Lelis Aivars J.
(US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
,
Green Ronald
(US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
,
Habersat Daniel B.
(US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
78
ページ:
32-37
発行年:
2018年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)