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文献
J-GLOBAL ID：201802293969121346
整理番号：18A0860737
Al_2O_3/HfO_2/TiNゲートスタックを持つInGaAs MOSキャパシタにおけるPBTI 界面状態発生【JST・京大機械翻訳】
PBTI in InGaAs MOS capacitors with Al2O3/HfO2/TiN gate stacks: Interface-state generation
Cartier Eduard
(IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Frank Martin M.
(IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Ando Takashi
(IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Rozen John
(IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
,
Narayanan Vijay
(IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IRPS ページ： 5A.4-1-5A.4-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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