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文献
J-GLOBAL ID：201802294062025684
整理番号：18A1689065
中間波長HgCdTeフォトダイオードのための注入面積-暗電流特性の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis injection area-dark current characteristics for mid-wavelength HgCdTe photodiodes
Zhang W.K.
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Zhang W.K.
(University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China)
,
Lin J.M.
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Chen H.L.
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Li H.
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
,
Wang R.
(College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China)
,
Ding R.J.
(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
資料名：
Infrared Physics & Technology
(Infrared Physics & Technology)
巻： 93 ページ： 70-76 発行年： 2018年
JST資料番号： H0184A ISSN： 1350-4495 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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