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文献
J-GLOBAL ID：201802296581225411
整理番号：18A0161852
プロセス制御と開発のための過渡サーモリフレクタンスウエハマッピング:ダイヤモンド上のGaN【Powered by NICT】
Transient thermoreflectance wafer mapping for process control and development: GaN-on-Diamond
Pomeroy James W.
(Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom)
,
Simon Roland B.
(Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom)
,
Middleton Callum
(Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom)
,
Kuball Martin
(Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： CSICS ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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