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文献
J-GLOBAL ID：201802298218800368
整理番号：18A1860012
ポリゲートデバイス下のドーパント欠陥を調べるための走査型マイクロ波顕微鏡ナノ-C-Vの応用【JST・京大機械翻訳】
Application of Scanning Microwave Microscopy nano-C-V to investigate dopant defect under a poly gate device
Amster O.
(PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA)
,
Rubin K.A.
(PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA)
,
Yang Y.
(PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA)
,
Iyer D.
(ON Semiconductor, 5005 E. McDowell Rd, Phoenix, AZ, USA)
,
Messinger A.
(ON Semiconductor, 5005 E. McDowell Rd, Phoenix, AZ, USA)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 88-90 ページ： 250-254 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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