文献
J-GLOBAL ID:201902210344904144
整理番号:19A0938379
GaSb/GaAs量子ドットの異方性に及ぼす圧力の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Reaction Pressure Onmorphology Anisotropy of GaSb/GaAs Quantum Dots
著者 (5件):
Xu Deqian
(集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
,
Xu Jiaxin
(集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
,
Zhuang Shiwei
(集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
,
Li Guoxing
(集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
,
Zhang Baolin
(集成光電子学国家重点実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
資料名:
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻:
40
号:
1
ページ:
17-22
発行年:
2019年
JST資料番号:
W1380A
ISSN:
1000-7032
CODEN:
FAXUEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)