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文献
J-GLOBAL ID：201902210442784142
整理番号：19A1918044
絶縁性アルカンチオラート薄膜に強固に結合した高秩序化半導性アントラセン単分子層の形成【JST・京大機械翻訳】
Formation of Highly Ordered Semiconducting Anthracene Monolayer Rigidly Connected to Insulating Alkanethiolate Thin Film
Eguchi Toyoaki
(Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan)
,
Eguchi Toyoaki
(Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University)
,
Hirata Naoyuki
(Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan)
,
Hirata Naoyuki
(Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University)
,
Shibuta Masahiro
(Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan)
,
Shibuta Masahiro
(Keio Institute of Pure and Applied Science (KiPAS), Keio University)
,
Tsunoyama Hironori
(Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan)
,
Tsunoyama Hironori
(Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University)
,
Nakajima Atsushi
(Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, ERATO, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawasaki, Japan)
,
Nakajima Atsushi
(Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University)
,
Nakajima Atsushi
(Keio Institute of Pure and Applied Science (KiPAS), Keio University)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 122 号： 45 ページ： 26080-26087 発行年： 2018年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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