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文献
J-GLOBAL ID:201902210592732941   整理番号:19A1409609

ラジカル増強原子層堆積により合成したCoFe_2O_4薄膜の磁気特性【JST・京大機械翻訳】

Magnetic Properties of CoFe2O4 Thin Films Synthesized by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition
著者 (4件):
Pham Calvin D.
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
Chang Jeffrey
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
Zurbuchen Mark A.
(Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
Chang Jane P.
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻:号: 42  ページ: 36980-36988  発行年: 2017年10月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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