文献
J-GLOBAL ID:201902210592732941
整理番号:19A1409609
ラジカル増強原子層堆積により合成したCoFe_2O_4薄膜の磁気特性【JST・京大機械翻訳】
Magnetic Properties of CoFe2O4 Thin Films Synthesized by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition
著者 (4件):
Pham Calvin D.
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
,
Chang Jeffrey
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
,
Zurbuchen Mark A.
(Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
,
Chang Jane P.
(Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California, Los Angeles (UCLA))
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
42
ページ:
36980-36988
発行年:
2017年10月25日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)