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文献
J-GLOBAL ID：201902210826202794
整理番号：19A2615003
窒化物半導体,Ca(Mg_1-xZn_x)_2N_2(x=0~1)に対する室温での1.8~3.2eV範囲とp型伝導率による調整可能な発光【JST・京大機械翻訳】
Tunable Light Emission through the Range 1.8-3.2 eV and p-Type Conductivity at Room Temperature for Nitride Semiconductors, Ca(Mg1-xZnx)2N2 (x = 0-1)
Tsuji Masatake
(Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Hiramatsu Hidenori
(Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Hiramatsu Hidenori
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Japan)
,
Hosono Hideo
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Japan)
資料名：
Inorganic Chemistry
(Inorganic Chemistry)
巻： 58 号： 18 ページ： 12311-12316 発行年： 2019年
JST資料番号： C0566A ISSN： 0020-1669 CODEN： INOCAJ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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