文献
J-GLOBAL ID:201902211260428960
整理番号:19A1607171
SiO_2/SiC界面特性化のための微分可変ベース電荷ポンピング(δ-CP)【JST・京大機械翻訳】
Differential Variable Base Charge Pumping ($Δ-¥text{CP}$) for SiO2/SiC Interface Characterization
著者 (5件):
Moens P.
(ON Semiconductor, Oudenaarde, B-9700, Belgium)
,
Constant A.
(ON Semiconductor, Oudenaarde, B-9700, Belgium)
,
Stockman A.
(Gent University, Gent, B-9052, Belgium)
,
Franchi J.
(ON Semiconductor, Kista, SE-16440, Sweden)
,
Allerstam F.
(ON Semiconductor, Kista, SE-16440, Sweden)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ISPSD
ページ:
163-166
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)