文献
J-GLOBAL ID:201902212097445214
整理番号:19A0029057
PECVDと熱SiO_2の特性に関する成長堆積法の特徴【JST・京大機械翻訳】
Signature of growth deposition technique on the properties of PECVD and thermal SiO2
著者 (5件):
Majee Subimal
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India)
,
Barshilia Devesh
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India)
,
Kumar Sanjeev
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India)
,
Mishra Prabhash
(Nano-Science Center, Jamia Millia Islamia, New Delhi, 110025, India)
,
Akhtar Jamil
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, Rajasthan, India)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1989
号:
1
ページ:
020023-020023-7
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)