文献
J-GLOBAL ID:201902212097887774
整理番号:19A2092993
III-V半導体ナノワイヤにおける電荷閉込め機構【JST・京大機械翻訳】
Charge confining mechanisms in III-V semiconductor nanowire
著者 (10件):
Marquardt Oliver
(Weierstras&-Institut fuer Angewandte Analysis und Stochastik, Berlin, 10117, Germany)
,
Corfdir P.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany)
,
Lahnemann J.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany)
,
Ramsteiner M.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany)
,
Brandt O.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany)
,
Geelhaar L.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Berlin, 10117, Germany)
,
Hill M. O.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois, 60208, USA)
,
Lauhon L. J.
(Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois, 60208, USA)
,
Hassan A. Al
(Naturwissenschaftlich-Technische Fakultaet, Universitaet Siegen, Siegen, 57068, Germany)
,
Pietsch U.
(Naturwissenschaftlich-Technische Fakultaet, Universitaet Siegen, Siegen, 57068, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
NUSOD
ページ:
19-20
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)