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文献
J-GLOBAL ID：201902212872654075
整理番号：19A0185587
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(II)
Effects of SiOx Capping Film on Crystallization of Ge Film for Flash Lamp Annealing (II)
秋田佳輝
(兵庫県大)
,
松尾直人
(兵庫県大)
,
小濱和之
(大阪大)
,
伊藤和博
(大阪大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118 号： 379(EID2018 4-7) ページ： 17-20 発行年： 2018年12月18日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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