前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201902213426813030
整理番号：19A0610729
高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察
Observation of Dopant Concentration in GaN Semiconductor by High Sensitivity Electron Holography
仲野靖孝
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
松本実子
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
穴田智史
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
山本和生
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
石川由加里
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
平山司
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
安藤悠人
(名古屋大学)
,
小倉昌也
(名古屋大学)
,
田中敦之
(名古屋大学)
,
本田善央
(名古屋大学)
,
天野浩
(名古屋大学)
資料名：
まてりあ
(Materia Japan)
巻： 58 号： 2 ページ： 103(J-STAGE) 発行年： 2019年
JST資料番号： F0163A ISSN： 1340-2625 CODEN： MTERE2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。