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文献
J-GLOBAL ID：201902214358920123
整理番号：19A1414850
シリコン基板上の高アスペクト比ナノスケール穴におけるGaNのエピタクシー【JST・京大機械翻訳】
Epitaxy of GaN in high aspect ratio nanoscale holes over silicon substrate
Wang Kejia
(Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
,
Wang Anqi
(Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
,
Ji Qingbin
(State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Microscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Hu Xiaodong
(State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Microscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Xie Yahong
(Department of Materials Science and Engineering, University of California Los Angeles, Los Angeles, California 90095, USA)
,
Sun Ying
(Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
,
Cheng Zhiyuan
(Institute of Microelectronics and Nanoelectronics, Key Laboratory of Micro-Nano Electronics and Smart System of Zhejiang Province, College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 25 ページ： 252101-252101-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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