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文献
J-GLOBAL ID：201902215525985817
整理番号：19A1414304
シリコン量子井戸金属-酸化物-半導体トランジスタにおける単一の大きさを超える正および負利得【JST・京大機械翻訳】
Positive and negative gain exceeding unity magnitude in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor transistors
Hu Gangyi
(Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
Wijesinghe Udumbara
(Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
Naquin Clint
(Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA)
,
Maggio Ken
(Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA)
,
Edwards H. L.
(Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA)
,
Lee Mark
(Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 15 ページ： 153503-153503-4 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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