文献
J-GLOBAL ID:201902215562007590
整理番号:19A0033308
原子層堆積法による二酸化ケイ素上に成長した二酸化ハフニウムと水素の相互作用【JST・京大機械翻訳】
Interaction of hydrogen with hafnium dioxide grown on silicon dioxide by the atomic layer deposition technique
著者 (5件):
Kolkovsky Vladimir
(Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany)
,
Scholz Sebastian
(Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany)
,
Kolkovsky Valery
(Technische Universitaet Dresden, Institut fuer Angewandte Physik, 01062 Dresden, Germany)
,
Schmidt Jan-Uwe
(Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany)
,
Heller Rene
(Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01109 Dresden, Germany)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
36
号:
6
ページ:
062901-062901-6
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)