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文献
J-GLOBAL ID：201902216422520262
整理番号：19A2619159
埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL
飯田涼介
(名城大 大学院理工学研究科)
,
村永亘
(名城大 大学院理工学研究科)
,
上島佑介
(名城大 大学院理工学研究科)
,
岩山章
(名城大 大学院理工学研究科)
,
竹内哲也
(名城大 大学院理工学研究科)
,
上山智
(名城大 大学院理工学研究科)
,
岩谷素顕
(名城大 大学院理工学研究科)
,
赤崎勇
(名城大 大学院理工学研究科)
,
赤崎勇
(名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th ページ： ROMBUNNO.20a-E302-4 発行年： 2019年09月04日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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