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J-GLOBAL ID:201902216615356129   整理番号:19A1415819

イットリウムドープZnOナノ粒子による電子注入変調による量子ドット発光ダイオードの性能改善【JST・京大機械翻訳】

Improved performance of quantum dot light emitting diode by modulating electron injection with yttrium-doped ZnO nanoparticles
著者 (8件):
Li Jingling
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Guo Qiling
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Jin Hu
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Wang Kelai
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Xu Dehua
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Xu Yongjun
(Dongguan University of Technology, Dongguan 523808, China)
Xu Gang
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)
Xu Xueqing
(CAS Key Laboratory of Renewable Energy, Guangzhou Institute of Energy Conversion, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 510640, China)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 122  号: 13  ページ: 135501-135501-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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