文献
J-GLOBAL ID:201902217263009170
整理番号:19A1887602
低Biasの下での分子破断接合の電位変化,電荷分布,電圧降下,バンドラインアップ,および透過スペクトルの研究【JST・京大機械翻訳】
Study of Potential Change, Charge Distribution, Voltage Drop, Band Lineup, and Transmission Spectrum of Molecular Break Junction Under Low Bias
著者 (2件):
Kole Abhisek
(Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Radhakrishnan K.
(Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
121
号:
23
ページ:
12903-12910
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)