文献
J-GLOBAL ID:201902217523116981
整理番号:19A0307570
0.63Mωcm2/1170V4H-SiC超接合V溝トレンチMOSFET【JST・京大機械翻訳】
$0.63¥ ¥mathrm{m}¥Omega ¥text{cm}^{2}$ / 1170 V 4H-SiC Super Junction V-Groove Trench MOSFET
著者 (5件):
Masuda T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
,
Saito Y.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
,
Kumazawa T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
,
Hatayama T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
,
Harada S.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IEDM
ページ:
8.1.1-8.1.4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)