文献
J-GLOBAL ID:201902219449847385
整理番号:19A1409419
優れたBドープSiCナノワイヤ可とう性電界放出体:超低ターンオン場と厳しい環境に対するロバスト安定性【JST・京大機械翻訳】
Superior B-Doped SiC Nanowire Flexible Field Emitters: Ultra-Low Turn-On Fields and Robust Stabilities against Harsh Environments
著者 (7件):
Chen Shanliang
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Shang Minghui
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Wang Lin
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Yang Zuobao
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Gao Fengmei
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Zheng Jinju
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
,
Yang Weiyou
(Institute of Material, Ningbo University of Technology, P. R. China)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
40
ページ:
35178-35190
発行年:
2017年10月11日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)