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文献
J-GLOBAL ID：201902219503531906
整理番号：19A0037034
ゲルマニウムNFinFETにおけるフォノン制限電子移動度:フィン方向依存性【JST・京大機械翻訳】
Phonon Limited Electron Mobility in Germanium nFinFETs: Fin Direction Dependence
Jing Ying
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Han Genquan
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Liu Yan
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Zhang Jincheng
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ICSICT ページ： 1-3 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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