文献
J-GLOBAL ID:201902219821541688
整理番号:19A0012653
インプラントのためのヒドロキシアパタイトドープアニオンの機械的,誘電的および表面分析【JST・京大機械翻訳】
Mechanical, dielectric and surface analysis of hydroxyapatite doped anions for implantations
著者 (2件):
Helen S.
(Centre for Crystal Growth, Department of Physics, VIT University, Vellore 632014, India)
,
Kumar A. Ruban
(Centre for Crystal Growth, Department of Physics, VIT University, Vellore 632014, India)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1942
号:
1
ページ:
050006-050006-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)