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文献
J-GLOBAL ID：201902219948312632
整理番号：19A0010949
MOSキャパシタの静電容量-電圧プロファイリング:学部学生実験室のためのハンドオン半導体試験の事例研究【JST・京大機械翻訳】
Capacitance-voltage profiling of MOS capacitors: A case study of hands-on semiconductor testing for an undergraduate laboratory
Joy J.
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
,
Date M. P.
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
,
Arora B. M.
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
,
Narasimhan K. L.
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
,
Tallur S.
(Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, MH 400076, India)
資料名：
American Journal of Physics
(American Journal of Physics)
巻： 86 号： 10 ページ： 787-796 発行年： 2018年
JST資料番号： A0379A ISSN： 0002-9505 CODEN： AJPIAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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