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文献
J-GLOBAL ID：201902219969593291
整理番号：19A0039259
改善された光電気化学性能に向けた原子的に薄いZn_10In_16S_34ナノシート配列におけるOドーピングと金属空孔の同時操作【JST・京大機械翻訳】
Simultaneous Manipulation of O-Doping and Metal Vacancy in Atomically Thin Zn10In16S34 Nanosheet Arrays toward Improved Photoelectrochemical Performance
Meng Linxing
(School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China)
,
Rao Dewei
(School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, P. R. China)
,
Tian Wei
(School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China)
,
Cao Fengren
(School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China)
,
Yan Xiaohong
(School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, P. R. China)
,
Li Liang
(School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Center for Energy Conversion Materials & Physics (CECMP), Soochow University, Suzhou, 215006, P. R. China)
資料名：
Angewandte Chemie
(Angewandte Chemie)
巻： 130 号： 51 ページ： 17124-17129 発行年： 2018年
JST資料番号： A0396A ISSN： 0044-8249 CODEN： ANCEAD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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