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文献
J-GLOBAL ID：201902220058962121
整理番号：19A1778923
負の微分移動度を示す半導体の速度場特性に対する経験的モデル【JST・京大機械翻訳】
Empirical model for the velocity-field characteristics of semiconductors exhibiting negative differential mobility
Siddiqua Poppy
(The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada)
,
Wang Yana
(The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada)
,
Shur Michael S.
(Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, 12180-3590, USA)
,
O’Leary Stephen K.
(The University of British Columbia, School of Engineering, 3333 University Way, Kelowna, British Columbia, V1V 1V7, Canada)
資料名：
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻： 299 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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