文献
J-GLOBAL ID:201902220386765401
整理番号:19A1873374
GaNのハロゲン化物気相エピタキシーに利用されるScAlMgO4基板の再利用
Reuse of ScAlMgO4 substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaN
著者 (9件):
OHNISHI Kazuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUBOYA Shigeyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANIKAWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IWABUCHI Takuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAMAMURA Kazuya
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
HASUIKE Noriyuki
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
HARIMA Hiroshi
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
FUKUDA Tsuguo
(Fukuda Crystal Lab., Sendai, JPN)
,
MATSUOKA Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SC
ページ:
SC1023.1-SC1023.5
発行年:
2019年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)