文献
J-GLOBAL ID:201902220777427367
整理番号:19A0659088
SbとBiを共ドープしたGeTeにおける低熱伝導率と高熱電性能:バンド収束とナノ構造化の相補効果【JST・京大機械翻訳】
Low Thermal Conductivity and High Thermoelectric Performance in Sb and Bi Codoped GeTe: Complementary Effect of Band Convergence and Nanostructuring
著者 (5件):
Perumal Suresh
(New Chemistry Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India)
,
Bellare Pavithra
(Materials Research Centre, Indian Institute of Science, India)
,
Shenoy U. Sandhya
(Theoretical Sciences Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India)
,
Waghmare Umesh V.
(Theoretical Sciences Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India)
,
Biswas Kanishka
(New Chemistry Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), India)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
29
号:
24
ページ:
10426-10435
発行年:
2017年
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)