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文献
J-GLOBAL ID：201902220795035185
整理番号：19A0890943
低温でのアンモニアガスでのアニーリングによる低温酸化ケイ素膜中のOH結合の高効率除去
Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C
HORITA Susumu
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 3 ページ： 038002.1-038002.4 発行年： 2019年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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