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文献
J-GLOBAL ID：201902221309571497
整理番号：19A2857131
電圧オーバシュート下のHBM保護におけるゲート結合シリコン制御整流器の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of gate-coupled silicon controlled rectifier on HBM protection under voltage overshoot
Madhusoodhanan Syam
(Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA)
,
Sankaralingam Rajkumar
(Texas Instruments, Inc, Dallas, TX, 75243, USA)
,
Boselli Gianluca
(Texas Instruments, Inc, Dallas, TX, 75243, USA)
,
Chen Zhong
(Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, 72701, USA)
資料名：
Journal of Electrostatics
(Journal of Electrostatics)
巻： 102 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： W0917A ISSN： 0304-3886 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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