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文献
J-GLOBAL ID：201902221612075002
整理番号：19A2640042
シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの堆積とエッチング挙動【JST・京大機械翻訳】
Deposition and etching behaviour of boron trichloride gas at silicon surface
Muroi Mitsuko
(Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
,
Yamada Ayami
(Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
,
Saito Ayumi
(Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
,
Habuka Hitoshi
(Yokohama National University, 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama 240-8501, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 529 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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