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文献
J-GLOBAL ID：201902221787109119
整理番号：19A1716802
拡張パルスエキシマレーザを用いた4H-SiCにおけるAlのレーザドーピング深さの増加【JST・京大機械翻訳】
Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
Ikeda Akihiro
(Sojo University, Department of Computer and Information Sciences, Sojo Univ Kumamoto Japan 4-22-1 Ikeda, Nishi-ku)
,
Shimokawa Takahi
(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744 Motooka, Nishi-ku)
,
Ikenoue Hiroshi
(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)
,
Asano Tanemasa
(Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744 Motooka, Nishi-ku)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 963 ページ： 412-415 発行年： 2019年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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