文献
J-GLOBAL ID:201902221827329779
整理番号:19A0528012
極低温での高電子移動度ヘテロ構造電界効果トランジスタのAlGaAs/GaAsにおけるフリッカ雑音【JST・京大機械翻訳】
Flicker noise in AlGaAs/GaAs of high electron mobility heterostructure field-effect transistor at cryogenic temperature
著者 (3件):
Mouetsi Souheil
(Department of electrical engineering, faculty of sciences and applied sciences, University Larbi Ben M’hidi, Oum El Bouaghi, Algeria)
,
Zouach Foudil
(Department of electrical engineering, faculty of sciences and applied sciences, University Larbi Ben M’hidi, Oum El Bouaghi, Algeria)
,
Rechem Djamil
(Department of electrical engineering, faculty of sciences and applied sciences, University Larbi Ben M’hidi, Oum El Bouaghi, Algeria)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
MIPRO
ページ:
53-56
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)