文献
J-GLOBAL ID:201902222503186035
整理番号:19A0626047
先進NTDによるFZ Siウエハの半径方向抵抗率変化の低減【JST・京大機械翻訳】
Reduced radial resistivity variation of FZ Si wafers with Advanced NTD
著者 (3件):
Lei Anders
(Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark)
,
Graesvaenge Martin
(Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark)
,
Hindrichsen Christian
(Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
512
ページ:
65-68
発行年:
2019年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)