前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201902222648502491
整理番号：19A0306562
スパイキングニューラルネットワークにおける人工シナプスとしての金属酸化物抵抗メモリ(OXRAM)と相変化メモリ(PCM)【JST・京大機械翻訳】
Metal Oxide Resistive Memory (OxRAM) and Phase Change Memory (PCM) as Artificial Synapses in Spiking Neural Networks
Vianello E.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Ly D. R. B.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Barbera S. La
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Dalgaty T.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Castellani N.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Navarro G.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Bourgeois G.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Valentian A.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Nowak E.
(Univ. Grenoble Alpes, CEA, LETI, Grenoble, 38000, France)
,
Querlioz D.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N, Orsay Cedex, 91405, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ICECS ページ： 561-564 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。