文献
J-GLOBAL ID:201902222779227452
整理番号:19A1416322
改良デバイスプロセスによるバイポーラ劣化のない4H-SiC pinダイオードの作製【JST・京大機械翻訳】
Fabrication of 4H-SiC PiN diodes without bipolar degradation by improved device processes
著者 (4件):
Bu Yuan
(Research and Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Yoshimoto Hiroyuki
(Research and Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Watanabe Naoki
(Research and Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
,
Shima Akio
(Research and Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
24
ページ:
244504-244504-7
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)