文献
J-GLOBAL ID:201902223351478338
整理番号:19A0127696
超高電力整流器とMOSFET用のGa_2O_3【JST・京大機械翻訳】
Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETS
著者 (4件):
Pearton S. J.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
,
Ren Fan
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
,
Tadjer Marko
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Kim Jihyun
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
124
号:
22
ページ:
220901-220901-19
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)