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文献
J-GLOBAL ID：201902223522688653
整理番号：19A1640114
自己消去可能な酸化チタン抵抗メモリ素子【JST・京大機械翻訳】
Self-erasable titanium oxide resistive memory devices
Jang Jingon
(KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, 145, Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea)
,
Choi Han-Hyeong
(Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
,
Choi Han-Hyeong
(School of Chemical and Biological Engineering, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea)
,
Kim Minsung
(Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
,
Kim Minsung
(Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, Republic of Korea)
,
Kim Jai Kyeong
(Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
,
Chung Seungjun
(Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
,
Park Jong Hyuk
(Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
資料名：
Journal of Industrial and Engineering Chemistry
(Journal of Industrial and Engineering Chemistry)
巻： 78 ページ： 338-343 発行年： 2019年
JST資料番号： W3170A ISSN： 1226-086X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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