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J-GLOBAL ID:201902224834423810   整理番号:19A1792188

SiC基板上のグラフェンにおけるElectron移動のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of Electron Transfer in Graphene on SiC Substrate
著者 (2件):
Muravev V. V.
(Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus)
Mishchenka V. N.
(Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus)

資料名:
International Journal of Nanoscience  (International Journal of Nanoscience)

巻: 18  号: 3-4  ページ: 1940093  発行年: 2019年 
JST資料番号: A1345A  ISSN: 0219-581X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: シンガポール (SGP)  言語: 英語 (EN)
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