文献
J-GLOBAL ID:201902224834423810
整理番号:19A1792188
SiC基板上のグラフェンにおけるElectron移動のモデリング【JST・京大機械翻訳】
Modeling of Electron Transfer in Graphene on SiC Substrate
著者 (2件):
Muravev V. V.
(Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus)
,
Mishchenka V. N.
(Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus)
資料名:
International Journal of Nanoscience
(International Journal of Nanoscience)
巻:
18
号:
3-4
ページ:
1940093
発行年:
2019年
JST資料番号:
A1345A
ISSN:
0219-581X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
シンガポール (SGP)
言語:
英語 (EN)