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文献
J-GLOBAL ID：201902224904071488
整理番号：19A2607992
改良された熱散逸によるQバンド応用のための高効率AlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Kabouche Riad
(Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Pecheux Romain
(Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Harrouche Kathia
(Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Okada Etienne
(Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Medjdoub Farid
(Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, University Lille, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Derluyn Joff
(EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium)
,
Degroote Stefan
(EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium)
,
Germain Marianne
(EpiGaN company, Kempische Steenweg 293, Hasselt, Belgium)
,
Gucmann Filip
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom)
,
Middleton Callum
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom)
,
Pomeroy James W.
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom)
,
Kuball Martin
(H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, BS8 1TL, Bristol, United Kingdom)
資料名：
International Journal of High Speed Electronics and Systems
(International Journal of High Speed Electronics and Systems)
巻： 28 号： 1-2 ページ： 1940003 発行年： 2019年
JST資料番号： A1473A ISSN： 0129-1564 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： シンガポール (SGP) 言語： 英語 (EN)
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