文献
J-GLOBAL ID:201902227402256351
整理番号:19A1414765
MOCVDによるトレンチ素子のためのGaNのマスクレス再成長【JST・京大機械翻訳】
Maskless regrowth of GaN for trenched devices by MOCVD
著者 (5件):
Agarwal Anchal
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
Koksaldi Onur
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
Gupta Chirag
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
Keller Stacia
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
Mishra Umesh K.
(Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
23
ページ:
233507-233507-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)